沉浸蚀刻气数尽于32纳米节点,光刻技术坐上候选席?消烟剂
2022-11-04
沉浸蚀刻气数尽于32纳米节点,光刻技术坐上候选席?
193纳米沉浸蚀刻的高折射指数材料暗示沉浸技术将在32纳米节点耗尽气力。据专家称,先进的193纳米沉浸工具,采用折射率为1.44的非电离化水,预计能处理节点小至32纳米的晶圆。asml、佳能、尼康正在开发193纳米沉浸扫描仪,预计相应的客户将在45纳米或32纳米节点使用该工具。
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杜邦、jsr等公司正在研制面向193纳米沉浸蚀刻的非水方案,或所谓的高折射率材料。许多方案声称具有1.64的折射率,使193纳米沉浸扫描仪能延伸至32纳米节点以上。但许多人认为这些材料不可行。
tsmc研发高级副总裁shang-yi 临清chiang表示:“有人一直在研究水以外的液体用于沉浸蚀刻。但迄今,他们还没有成果。”因此,半导体工业开始为32纳米及以上节点找寻众多的下一代光刻候选技术,包括:直接写入电子束、甚超紫外线(euv)、纳米印刷等等。
tsmc希望在22纳米采用快速直接写入电子束工具,该公司同时指出“euv钢球阀是一种可能性。”
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tsmc研发高级副总裁shang-yi chiang表示:“有人一直在研究水以外的液体用于沉浸蚀刻。但迄今,他们还没有成果。”因此,半导体工业开始为32纳米及以上节点找寻众多的下一代光刻候选技术,包括:直接写入电子束、甚超紫外线(euv)、纳米印刷等等。
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